Корейские производители Samsung Electronics и Hynix Semiconductors сегодня сообщили о разработке новых модулей оперативной памяти для мобильных устройств. Объявления две компании делали одновременно, но независимо друг от друга.
Hynix сообщила о создании 2-гигабитных чипов памяти DDR-2, созданных по 40-нанометровой технологии. Новые чипы потребляют электроэнергии меньше, чем любые другие модули мобильной памяти, существующие сейчас на коммерческом рынке. Новые чипы будут маркироваться как LP DDR2, во время работы они функционируют на напряжении всего в 1,2 Вт, что на 70% меньше, чем у предыдущих поколений.
В Hynix говорят, что использовать новые чипы можно в камерах, мобильных телефонах, плеерах и смартбуках. Скорость передачи данных в показанных чипах достигает 1066 мегабит в секунду, что позволяет передать полнометражный фильм всего за пару секунд. Массовое производство новых чипов начнется в первом полугодии 2010 года.
В свою очередь Samsung Electronics сегодня представила чипы сверхплотной памяти для мобильных устройства. Компания показала два модуля на 32 и 64 гигабайта формата moviNAND, предусматривающих сверхплотное размещение информации. Новые модули позволяют в мобильных устройствах создавать хранилища, сравнимые по своим показателям с жесткими дисками компьютеров, — говорит Джун Донг Су, исполнительный вице-президент по маркетингу Samsung Electronics.
В представленных модулях объединены обычные модули NAND-памяти и мультимедийный контроллер, управляющий чипом памяти. Такая технология, по данным Samsung, избавляет производителей от необходимости создания внешнего контроллера для управления чипом памяти, а это ведет к повышению мобильности и снижению стоимости конечного аппарата.
С учетом новых объемов поставки, в линейке Samsung теперь есть чипы moviNAND емкостью 4, 8, 16, 32 и 64 гигабайта. Массовое производство новых чипов уже началось.
